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Algunos de los temas cubiertos en la aplicación son:
1. Diodo ideal
2. Materiales semiconductores: resistividad.
3. Materiales semiconductores GE y SI
4. Niveles de energía
5. Materiales extrínsecos de tipo N
6. Materiales extrínsecos de tipo P
7. Flujo de electrones versus agujeros
8. portadores mayoritarios y minoritarios
9. Diodo semiconductor
10. Junta PN sin sesgo externo
11. Jintería PN con condición de polarización inversa
12. Jintería PN con condición de sesgo hacia adelante
13. Características de diodo de semiconductores de silicio
14. Región Zener
15. Características generales de un diodo de semiconductores
16. Efectos de temperatura Diodo de silicio
17. DC o resistencia estática
18. AC o resistencia dinámica
19. Resistencia promedio de CA
20. Circuitos equivalentes equivalentes de diodo
21. Circuito equivalente simplificado para el diodo de semiconductores de silicio
22. Capacitancia de transición y difusión
23. Tiempo de recuperación inversa
24. Diodos emisores de luz
25. Análisis de línea de carga
26. Aproximaciones de diodos
27. Configuraciones de diodos de la serie con entradas DC
28. Rectificador de media onda
29. Efecto de VT en la señal rectificada de media onda
30. PIV de voltaje inverso máximo (PRV).
31. Red de puente de rectificación de onda completa
32. Red de puente de puro puro de voltaje de voltaje pico
33. Transformador con toque central
34. Transformer-PIV de punta central
35.-Cerviradores de la serie
36. Clipper sesgado paralelo
37. Camampas
38. Diodos Zener
39. Zener Diodos: VI fijo, variable RL
40. Zener Diodos: fijo RL, variable VI
41. Halfwave-voltaje duplicador
42. Dourbador de voltaje de onda completa
43. Voltaje Tripler y Quadruppler
44. Introducción al sesgo de transistores
45. Corriente de colector de señal cero adecuada
46. Voltaje mínimo de emisor mínimo de base
47. VCE mínimo adecuado en cualquier instante
48. Punto de funcionamiento
49. Estabilización.
50. Factor de estabilidad
51. Método de resistencia a la base de sesgo del transistor
52. Circuito de polarización de sesemator de transistores
53. Corriente de colector de circuito de polarización de emisores (IC).
54. Voltaje del emisor-emisor de circuito de sesgo emisor (VCE).
55. EMITOR BIAS DEL CIRCUITO DE CIRCUITO
56. sesgo con resistencia de retroalimentación de colección
57. Método de sesgo de divisor de voltaje.
58. Diseño de circuitos de polarización de transistores
59. Parabas de punto medio
60. Osciladores
61. Amplificadores operativos
62. Parcialización del transistor
63. Transistores de efecto de campo
64. Fuente de energía regulada
65. Señales y amplificadores de varias etapas
66. Transistores a altas frecuencias
67. Transistor bipolar
68. Pariciamiento de transistor bipolar
69. Relación entre diferentes corrientes en un transistor
70. Configuración base de BJT-Common
71. Características de la configuración de la configuración de BJT-Common Base
72. BJT-Common Base Configuration- Entrada característica
73. Circuito equivalente de un transistor: (base común)
74. Amplificador base común
75. Amplificador de base común-AC Circuito equivalente
76. Configuración del emisor BJT-Common
77. BJT- Configuración del emisor común: característica de entrada:
78. Característica de configuración de emisor BJT-Common:
79. Ganancia de corriente de señal de larga de configuración de emisores comunes
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